IRF6610TR1PBF中文资料
IRF6610TR1PBF图片
- 大小：242KB
- 厂家：International Rectifier
- 描述： MOSFET, N, DIRECTFET, 20V, SQ; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:15A; Resistance, Rds On:5.2mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.1V; Case Style:SQ; Termination Type:SMD; Base Number:6610; Current, Idm Pulse:120A; Power Dissipation:2.2mW; SMD Marking:2.2; Voltage, Vds:20V; Voltage, Vgs th Max:2.55V; Voltage, Vgs th Min:1.65V
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.8 毫欧 @ 15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.55V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1520pF @ 10V
- 功率 - 最大：2.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 SQ
- 供应商设备封装：DIRECTFET? SQ
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRF6610TR1PBFTR
IRF6610TR1PBF供应商
更新时间:2023-01-27 05:42:37- 供应商
- 产品型号
- 服务标识
- 数量
- 厂商
- 封装/批号
- 说明
- 询价
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IN STOCK 1000/tr/smd/dc0708
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DirectFET Isometric SQ/22+
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原厂渠道，现货配单
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原厂渠道，现货配单13312978220
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十几年配单经验，只做原装
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